EPC2102: 增强型氮化镓半桥功率晶体管

VDS, 60 V
RDS(on), 4.9 mΩ
ID, 30 A
脉冲 ID, 220 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2102 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

应用

  • DC/DC 转换器

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗、更低寄生电感及更低驱动功率
  • 效率更高 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 - 实现更高功率密度
产品状况:已提供新型器件(NDO)
面向新设计,EPC 氮化镓专家推荐EPC2619 NDO(已提供新型器件):这是前代器件,虽然您仍然可以采用,但请使用我们推荐的新型器件 - 它的价格更好和在大多数应用中性能更高。
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教