EPC1001:增强型功率晶体管

VDS, 100 V
RDS(on), 7 mΩ
ID, 25 A

EPC1001 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm

应用

  • 高速直流-直流转换
  • 硬开关与高频电路
  • D类音频放大器

优势

  • 超高效率
  • 超低 RDS(on)
  • 超低 QG
  • 超小外形尺寸
产品状况:停产产品
在全新设计中,请採用EPC2001产品
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