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EPC2014C:增强型功率晶体管
V
DS
, 40 V
R
DS(on)
, 16 mΩ
I
D
, 10 A
脉冲 I
D
, 60 A
符合RoHS 6/6、无卤素
晶片尺寸: 1.7 mm x 1.1 mm
应用
DC/DC 转换器
高频硬开关及软开关技术
D类音频放大器
无线电源传送
LiDAR
优势
开关频率更快
– 更低开关损耗及更低驱动功率
效率更高
- 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
占板面积更小
– 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:
正在供货
寻找授权经销商
对EPC公司的
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有任何问题吗?
向GaN技术专家请教
数据表
EPC2014C 数据表
评估板
EPC9005C
品质及可靠性
检验合格报告
可靠性报告
无铅/符合有害物质限制条例要求
REACH声明
关于打击假冒产品声明
关于冲突矿物声明
材料声明
设计资源
应用笔记
组装eGaN
®
FET
速查指南 - 把eGaN FET焊接在电路板上的步骤
速查指南 - 从电路板移除eGaN FET的步骤
使用eGaN
®
FET
器件模型
PSPICE (.net)
TSPICE (.sp)
LTSPICE (.zip)
Spectre 模型 (.scs)
Altium Library (.zip)
热模型
STEP
设计工具
用于降压转换器的GaN FET选型工具
交叉參考搜索
GaN First Time Right™ 设计流程
氮化镓场效应晶体管的热量计算器
GaN Talk支持论坛
Altium 库 (.zip)
KiCad 库 (.zip)
KiCad 库安装说明
更改产品规格通告
PCN210601 - 生产地变更–通过Raytek认证的商用元件的PbF晶圆凸块工艺
PCN200801 - 生产地变更–在Ardentec装配后端卷带
PCN200601 - 使用替代制造地点- 晶圆探针测试
PCN180501 – 使用替代制造地点-组装后端带卷(TR)
PCN170401 – 制造厂产地变更-组装后端带卷(TR)
PCN170304 - 更改生产地点 - 组装
PCN240501 - 基板供应商替代