EPC2038：增强型功率晶体管

VDS, 100 V
Internal Gate Diode
RDS(on), 3300 mΩ
ID, 0.5 A
脉冲 ID, 0.5 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2038 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 0.9 mm x 0.9 mm

应用

  • 高速直流－直流转换
  • 无线电源传送
  • 光学遥感技术/脉冲式功率应用

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
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