EPC2051：100 V、37 A 增强型氮化镓功率晶体管

VDS, 100 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 1.7 A
脉冲 ID, 37 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2051 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.3 mm x 0.85 mm

应用

  • DC/DC 转换器
  • 隔离型 DC/DC 转换器
  • 无刷直流电机驱动器
  • 面向 AC/DC 及 DC/DC 应用的同步整流
  • LiDAR/脉冲功率应用
  • Class D 音频
  • LED 照明
  • 用于摄像头模块、笔记本电脑和智能手机的 Vcsel 激光 ToF 模块

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
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