VDS, 40 V RDS(on), 3 mΩ ID, 29 A 脉冲 ID, 161 A 符合RoHS 6/6、无卤素
对EPC公司的eGaN FET及集成电路有任何问题吗?向GaN技术专家请教
挑选适合您的设计的低成本评估板,开展您的创新旅程: