EPC2066：40 V、639 A 增强型氮化镓功率晶体管

VDS, 40 V
RDS(on), 1.1 mΩ
ID, 90 A
脉冲 ID, 639 A

EPC2066 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

应用

  • 高密度DC-DC转换
  • 无刷直流电机驱动器
  • 工业自动化
  • 负载点（POL）转换器
  • 同步整流器
  • 浪涌保护装置

优势

  • 超高效率
  • 高开关频率
  • 非常低的 RDS(on)，QG，QGD，QOSS 和零反向恢复 (QRR)
  • 尺寸更小型化
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