EPC2101：增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管

VDS, 60 V
RDS(on),
11.5 mΩ (Q1, 控制 FET),
2.8 mΩ (Q2, 同步 FET)
ID, 10 A (Q1) 及 40 A (Q2)
脉冲 ID,
80 A (Q1) 及 350 A (Q2)
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2101 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

应用

  • DC/DC 转换器

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗、更低寄生电感及更低驱动功率
  • 效率更高 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 - 实现更高功率密度
产品状况:正在供货
寻找授权经销商
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗？
向GaN技术专家请教

数据表

演示板/开发板

产品品质及可靠性

设计资源

应用笔记

器件模型

设计工具

更改产品规格通告