EPC2104：100 V、180 A增强型氮化镓功率晶体管

VDS, 100 V
RDS(on), 6.8 mΩ
ID, 30 A
脉冲 ID, 180 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2104 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

应用

  • DC/DC 转换器
  • 无刷直流电机驱动器
  • 面向AC/DC及DC/DC应用的同步整流

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗、更低寄生电感及更低驱动功率
  • 效率更高 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 - 实现更高功率密度
产品状况:推荐
寻找授权经销商
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗？
向GaN技术专家请教

数据表

评估板

挑选适合您的设计的低成本评估板，开展您的创新旅程：

EPC9040 100 V、15 A半桥评估板 ¥ 942.75

产品品质及可靠性

设计资源

应用笔记

器件模型

设计工具

更改产品规格通告