EPC2112: 200 V, 10 A Integrated Gate Driver eGaN® IC

Integrated Gate Driver

  • Low Propagation Delay
  • Up to 7 MHz Operation
  • Operates from 5 V Supply

200 V, 40 mΩ eGaN FET
Low Inductance BGA

EPC2112 Gallium Nitride GaN Integrated Circuit
晶片尺寸: 2.9 mm x 1.1 mm

应用

  • 无线电源传送
  • 高频DC-DC电源转换
EPC2112 Schematic
产品状况:已停产的产品
透过"向氮化镓专家提问”与EPC公司一起讨论替代方案。
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