EPC2304: 200 V、260 A增强型功率晶体管

VDS, 200 V
RDS(on), 5 mΩ
ID, 102 A
脉冲 ID, 260 A

EPC2304 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封装尺寸:3 mm x 5 mm

应用

  • 同步整流
  • AC/DC chargers, SMPS, adaptors
  • 无线电源传送
  • D类音频放大器
  • 无线电源传送
  • High power lidar & dToF

优势

  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗
  • Zero reverse recovery (QRR) losses
  • 超小占板面积 – 实现更高功率密度的电源转换
产品状况:工程产品
在购买器件时,产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态",不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前,请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

对EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何问题吗?
向GaN技术专家请教