集成高侧和低侧eGaN®场效应晶体管，带内部栅极驱动器和电平转换器
功率级负载电流为1 MHz、输出电流为35 A
最大输入电压为100 V
封装尺寸：3.5 mm x 5 mm
特点
- 5 V外部偏置电源
- 独立的高侧和低侧控制输入
- 3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
- 逻辑锁定命令在输入同时为高电平时关闭两个FET
- 外部电阻可调节SW开关时间和超过轨道及低于地的过电压尖峰
- 稳固的电平转换器可在硬开关和软开关条件下运行
- 对快速开关瞬态的误触发免疫
- 高侧自举电源的同步充电
- 禁用输入使VDRV电源进入低静态电流模式
- 低侧VDD电源的上电复位
- 高侧VBOOT电源的欠压锁定
- 在丧失VDRV电源时，为HS FET和LS FET提供主动栅极下拉
- 具有暴露顶面的热增强型QFN封装，可从结到顶侧散热器实现低热阻
应用
- 降压、升压、降压-升压转换器
- 半桥、全桥 LLC 转换器
- 电机驱动逆变器
- D 类音频放大器
产品状况:工程产品
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