EPC2818:增强型功率晶体管

VDS, 150 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 12 A
High Lead Bump
Finish: 95%Pb/5%Sn

EPC2818 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm

应用

  • 高速直流-直流转换
  • 高频硬开关及软开关技术
  • D类音频放大器

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
  • 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 – 实现更高功率密度的电源转换
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该型号的无铅版本,请参看EPC2010C
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EPC2018模型是EPC2818的参数化建模