EPC Generation 5 eGaN FETs and ICs

在性能上实现质的飞跃

EPC的最新一代技术把器件的尺寸缩小一半但提升其性能达3倍。更低的成本和更高的性能使得氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)和集成电路的发展进入“良性循环”(virtuous cycle)的轨度,在性能/成本上继续扩大与等效、日益老化的硅基功率MOSFET的绩效差距。

  • 尺寸更小 -- 性能得以大大提升
    与最先进的等效硅MOSFET相比,100 V 的eGaN FET 在RDS(on) 与芯片面积相乘的性能高出4倍。如果是比较200 V的器件,eGaN FET的性能可以高出16倍!
  • 提升品质因数(FOM)
    与硅基器件相比,在高频功率转换应用中,最新一代100 V eGaN FET的开关性能提升了4倍,而200 V eGaN FET的开关性能提升了8倍。
  • 更优越的性能为应用带来的好处
    与最好的等效MOSFET相比,EPC2045工作在48 V–5 V电源转换、500 kHz开关频率时,功耗降低30%及效率提升了2.5%。

    最新推出的100 V eGaN FET的其它应用包括于开放式伺服器架构以实现48 V至负载的单级电源转换、激光雷达(LiDAR)、USB-C、负载点(POL)转换器D类音频放大器、LED照明及具备低电感的马达驱动器等应用。
与硅基技术相比,GaN 技术在性能上实现质的飞跃

此外,最新推出的200 VeGaN FET的理想应用包括无线充电、多级AC/DC电源供电、同步整流器(48 VOUT机械人应用及太阳能微型逆变器

证明全新的氮化镓晶体管的优越性能

数据表总览

器件型号 配置 VDS RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
最大值
QG
典型值
(nC)
QGD
典型值
(nC)
QOSS
典型值
(nC)
最大脉冲峰值电流 ID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
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EPC2045 单路 100 7 5.2 1.1 21 130 BGA 2.5 x 1.5 立即购买
EPC2047 单路 200 10 8.2 1.8 60 160 BGA 4.5 x 1.6 立即购买
EPC2046 单路 200 25 2.9 0.6 22 55 BGA 2.8 x 0.95 立即购买

利用半桥开发板快速构建原型

器件型号 描述 VIN ID(A)
(RMS最大值)
氮化镓器件型号 原理图 Gerber 物料清单
(BOM)
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EPC9078 半桥式、带驱动器 80 20 EPC2045 立即购买
EPC9080 半桥式、带驱动器、面向高降压/大电流 80 30 EPC2045
EPC2022
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EPC9079 半桥式、带驱动器 160 6 EPC2046 立即购买
EPC9081 半桥式、带驱动器 160 15 EPC2047 立即购买