EPC的最新一代技术把器件的尺寸缩小一半但提升其性能达3倍。更低的成本和更高的性能使得氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)和集成电路的发展进入“良性循环”(virtuous cycle)的轨度,在性能/成本上继续扩大与等效、日益老化的硅基功率MOSFET的绩效差距。
- 尺寸更小 -- 性能得以大大提升
与最先进的等效硅MOSFET相比,100 V 的eGaN FET 在RDS(on) 与芯片面积相乘的性能高出4倍。如果是比较200 V的器件,eGaN FET的性能可以高出16倍!
- 提升品质因数(FOM)
与硅基器件相比,在高频功率转换应用中,最新一代100 V eGaN FET的开关性能提升了4倍,而200 V eGaN FET的开关性能提升了8倍。
- 更优越的性能为应用带来的好处
与最好的等效MOSFET相比,EPC2045工作在48 V–5 V电源转换、500 kHz开关频率时,功耗降低30%及效率提升了2.5%。
最新推出的100 V eGaN FET的其它应用包括于开放式伺服器架构以实现48 V至负载的单级电源转换、激光雷达(LiDAR)、USB-C、负载点(POL)转换器、D类音频放大器、LED照明及具备低电感的马达驱动器等应用。
此外,最新推出的200 VeGaN FET的理想应用包括无线充电、多级AC/DC电源供电、同步整流器(48 VOUT机械人应用及太阳能微型逆变器。