与任何其他晶体管一样，GaN FET 在开关过程中会产生功率损耗，并以热量的形式表现出来。如果超过特定限制，可能会损坏器件。因此，热管理是转换器设计中的重要组成部分。在某些应用中，热管理策略仅限于可通过 PCB 实现的方法。在电路板层面可以采用多种有效的设计技术，以最大限度地提高器件的散热能力。