高效电力转换公司（EPC）扩展了其用于电力转换解决方案的抗辐射氮化镓（GaN）产品系列，推出了两款新的40V器件，额定电流分别为62A和250A，以应对关键的太空和其他高可靠性应用。
加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2023年7月 — EPC宣布推出两款新型40V额定抗辐射GaN FET。EPC7001是一款40V，4mΩ，250A脉冲，抗辐射GaN FET，封装尺寸仅为7mm2。EPC7002是一款40V，14.5mΩ，62A脉冲，抗辐射GaN FET，封装尺寸仅为1.87mm2。两款器件的总剂量辐射等级均超过1,000K Rad(Si)，并具有在VDS达到额定击穿电压100%的情况下对83.7 MeV/mg/cm2的LET的单粒子效应（SEE）免疫。这些新器件以及其余的抗辐射系列产品，均以芯片级封装形式提供。封装版本可从EPC Space获得。
EPC的eGaN FET和集成电路为高可靠性和太空应用提供了比传统抗辐射硅器件更高性能的替代方案。EPC的抗辐射器件比抗辐射硅器件小得多，电性能提高了40倍，且整体成本更低。此外，EPC的抗辐射器件展现出优越的抗辐射性能，支持比传统硅解决方案更高的总辐射水平和SEE LET水平。
这些器件的性能和快速部署有利于DC-DC电源转换器、电机驱动、激光雷达、深空探测器和离子推进器等太空应用。它们特别适用于在近地轨道（LEO）和地球同步轨道（GEO）运行的卫星，以及航空电子系统。
“抗辐射产品系列提供了无与伦比的性能和可靠性，加上显著的太空应用经验，为覆盖广泛应用的高效且强大的系统提供了支持，适用于太空和其他高可靠性军事应用等恶劣环境，”EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示。
可用性
EPC7001和EPC7002现已提供工程样品。
关于EPC
EPC是基于增强型氮化镓（eGaN®）的电源管理领导者。eGaN FET和集成电路在DC-DC转换器、远程感应技术（激光雷达）、用于电动移动、机器人和无人机的电机驱动以及低成本卫星等应用中的性能比最佳的硅电源MOSFET高出许多倍。
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eGaN是Efficient Power Conversion Corporation, Inc.的注册商标。
媒体联系： Efficient Power Conversion：Renee Yawger 电话：+1.908.619.9678 电子邮件：[email protected]