GaN HEMT 封装改善了空间电力应用中器件的并联能力

随着处理能力的增强和更复杂的负载被放置在轨道上或深空任务中，有时需要并联两个或多个电源开关。然而，传统的电源设备封装，如FSMD-A/B/C/D及其I/O垫片设置，使得在性能敏感的情况下实现这些设备的并联变得困难。当并联时，这些封装上的栅极和源感垫片要么阻挡了从封装到封装的漏极和源极连接的最有效/最短互连，要么阻挡了栅极和源感垫片的连接。因此，在并联配置中，总是在优化漏极-源极负载电路性能和栅极-源感驱动环路性能之间做出妥协。本文介绍了FSMD-G离散HEMT封装，并解释了其I/O垫片的重新配置如何在并联GaN HEMT时克服这些限制。

How2Power
2023年9月
阅读文章