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专家在APEC 2024上就GaN和SiC发表意见

专家在APEC 2024上就GaN和SiC发表意见

在这段来自Power Electronics News的视频中,来自半导体公司的几位杰出发言者分享了关于氮化镓和碳化硅基功率器件的突破性发展见解。

氮化镓发言者回答了两个决定宽带隙未来的关键问题:

  1. 基板材料选择对于基于氮化镓的功率器件的重要性。他们详细阐述了这种选择如何影响器件性能、可靠性和可制造性,并讨论了研究人员如何解决与基板相关的挑战。
  2. 氮化镓器件在特定市场领域超越传统硅基解决方案,推动采用并揭示各自公司的技术方向。发言者包括:
    • 罗伯特·泰勒,德州仪器应用工程师/工业应用总经理
    • 迈克尔·德·鲁伊,EPC应用工程副总裁
    • 巴卢·巴拉克里什南,Power Integrations首席执行官

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