EPC 推出 EPC2367，这是一款 100 V GaN FET，具有超低 1.2 mΩ RDS(on)、卓越的效率和热性能，推动 AI、机器人技术和汽车电源的发展。
加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2025 年 3 月 – 增强型氮化镓 (GaN) 功率晶体管和 IC 领域的领导者 Efficient Power Conversion (EPC)
推出了 EPC2367，一款新一代 100 V eGaN® FET，为功率转换应用提供卓越性能、更高效率和更低系统成本。
该产品专为 48 V 中间电压总线架构设计，EPC2367 通过降低功率损耗、提高效率并实现更紧凑和经济高效的设计，大幅提升了电源系统的性能。与上一代 GaN 及传统硅 MOSFET 解决方案相比，
该新器件树立了性能基准。
EPC2367 的主要优势
- 超低导通电阻 (RDS(on))：1.2 mΩ，相比上一代顶级器件提升约 30%
- 更小的封装尺寸：3.3 mm × 3.3 mm QFN 封装，减少 PCB 空间并增强热性能
- 业界领先的开关性能优值 (FoM)： EPC2367 在硬开关和软开关应用中均优于竞争对手，实现
卓越的效率和更低的功率损耗
- 增强的热性能： 在负载下运行时温度更低，提高系统可靠性并实现更高功率密度
- 卓越的温度循环可靠性： 热循环能力提升 4 倍，相较于上一代 GaN，确保长期稳定运行
卓越的电路性能
EPC2367 在硬开关和软开关应用中经过严格测试。测试结果表明，在整个功率范围内均能实现更高效率，并显著降低功率损耗。在 1 MHz、1.25 kW 系统中，EPC2367
降低了功率损耗，同时实现了比上一代 GaN 和 Si MOSFET 方案高 1.25 倍的输出功率。
EPC2367 通过超低导通电阻和卓越的热循环能力推动 GaN 技术进步，使工程师能够在 AI 服务器、机器人技术和汽车系统中提高效率和功率密度，
EPC 首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 表示。
EPC90164 开发板是一款包含 EPC2367 GaN FET 的半桥电路板。其设计最高工作电压为 80 V，最大输出电流为 35 A。
该开发板旨在简化电源系统设计人员的评估流程，加快产品上市时间。该电路板尺寸为 2” × 2” (50.8 mm × 50.8 mm)，专为优化开关性能而设计，并包含所有关键组件，以便轻松评估。
价格与供货情况
EPC2367 单价为 $2.81（3,000 片批量）。
EPC90164 开发板单价为 $200.00。
产品可通过 EPC 的任何 授权经销商 购买，或直接从
EPC 官网 订购。
关于 EPC
EPC 是增强型模式氮化镓 (eGaN®) 功率管理领域的领导者。eGaN FET 和集成电路在性能上远超最佳硅功率 MOSFET，广泛应用于
DC-DC 转换器、
远程传感技术（激光雷达）、以及
电动出行、机器人和无人机的电机驱动。
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eGaN 是 Efficient Power Conversion Corporation, Inc. 的注册商标。
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