低压 GaN 在 AI 电源密度方面超越 MOSFET

作者：Alex Lidow，宜普电源转换公司（EPC）首席执行官；Alejandro Pozo，宜普电源转换公司（EPC）应用工程总监；Michael De Rooij，宜普电源转换公司（EPC）GaN 应用研究员

人工智能正以前所未有的速度融入我们的职业和个人生活。通过简化软件开发、应对复杂的分析挑战以及自动化日常文档工作，AI 不再只是一个工具，而是我们创造和解决问题方式的根本性转变。

这些新一代 AI 服务器 的代价很大程度上来自对电力需求的指数级增长。功耗的核心是图形处理器（GPU），它由数十亿个微型晶体管构成，这些晶体管紧密集成在硅衬底上，特征尺寸小至 20 Å（约等于 DNA 分子双螺旋的宽度）。激活这些数十亿个处理单元所需的功率，正以与其计算能力同样快的速度增长。表 1 以 Nvidia 发布的至 2028 年路线图为例进行了说明。