这款超低导通电阻0.28 mΩ的eGaN® FET具有22 V瞬态电压额定值，可为先进的大电流DC-DC转换器实现更高效率、1 MHz或更高的开关频率以及更高的功率密度。
美国加利福尼亚州埃尔塞贡多市 – 2026年8月20日 – 增强型氮化镓（eGaN®）功率器件领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）今天宣布量产EPC2370，这是一款超低导通电阻的18 V eGaN® FET，旨在提高下一代AI服务器电源的效率和功率密度。EPC2370具有22 V瞬态电压额定值，因此可替代额定电压高达25 V的MOSFET。
AI电源架构正向800 VDC配电转型，并采用工作频率为1 MHz的6 V高功率密度、多千瓦级中间总线转换器。EPC2370采用EPC第七代GaN平台开发，具有业界领先的101 A连续电流额定值、0.28 mΩ典型Rdson、26 nC栅极电荷以及超低开关损耗，并采用紧凑的3.3 mm × 3.3 mm热增强型双面冷却PQFN封装。这些特性使设计人员能够最大限度地提高效率、减小转换器和磁性元件尺寸，并满足严苛的热管理要求。
"AI基础设施的快速发展需要能够同时优化导通性能和开关性能的功率开关，" EPC直流/直流市场营销及系统工程副总裁Jason Zhang表示。"EPC2370与我们最近推出的初级侧GaN开关（EPC2305、EPC2367、EPC2361）配合使用，专为6 V输出的大电流同步整流而开发，可用于下一代高功率密度、大电流电源，而在这些应用中，低R × Q品质因数至关重要。"
EPC2370针对48 V转6 V和800 V转6 V功率转换器中的中心抽头同步整流进行了优化。其18 V连续电压和22 V瞬态电压额定值为可靠运行提供了充足的电压裕量，同时可在高功率密度电源模块中实现98%的峰值效率和97%的满载效率。除AI服务器外，EPC2370也非常适合用于高性能计算、电信基础设施和先进工业电源系统中的大电流DC-DC转换器。
为了加快评估和产品开发，EPC还提供EPC90168评估板。EPC90168尺寸为2" × 2"，采用两个EPC2370 GaN FET并配置为半桥。该评估板包含所有关键元件，并采用经过优化的布局，以最大限度地提高开关性能。此外，评估板还提供多个探测点，便于进行波形测量和效率评估。
价格及供货
EPC2370现已通过EPC全球分销网络供货，包括Digi-Key和Mouser，并正在扩大产能，以满足AI计算、服务器电源、电信基础设施、工业系统以及其他高性能低压电源应用不断增长的需求。
EPC2370的1,000片采购数量单价为2.52美元。EPC90168评估板的售价为260美元。
关于EPC
EPC是基于增强型氮化镓（eGaN®）技术的电源管理领域领导者。公司由电力电子、半导体和企业管理领域的专家于2007年创立，凭借尖端技术，通过开发和商业化基于GaN的功率器件推动电力电子领域不断发展。在DC-DC转换器、遥感技术（激光雷达）、用于智慧出行、机器人和无人机的电机驱动，以及卫星等应用中，eGaN FET和集成电路的性能可达到最佳硅功率MOSFET的数倍。
在社交媒体上关注EPC：LinkedIn、YouTube、Facebook、Twitter、Instagram、优酷
在微信上关注我们 
eGaN是Efficient Power Conversion Corporation, Inc.的注册商标。
媒体联系人：宜普电源转换公司（EPC）：Maurizio Di Paolo Emilio，电子邮件：[email protected]
新闻稿 - 编辑用图片