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The retreat of the MOSFETs?

The retreat of the MOSFETs?

In this op-ed, Alfred Vollmer explores the accelerating shift from traditional silicon MOSFETs to wide bandgap (WBG) semiconductors—particularly gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC). GaN devices are conquering more and more terrain that was formerly a pure domain of Silicon MOSFETs.

Bodo’s Power Systems
June 2025
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行业领先的300V抗辐射氮化镓场效应晶体管,用于更高电压的卫星电源系统,现已由EPC Space提供。

行业领先的300V抗辐射氮化镓场效应晶体管,用于更高电压的卫星电源系统,现已由EPC Space提供。

安多佛, MA – 2025年6月 – EPC Space,一家辐射硬化(RH)氮化镓(GaN)功率器件的领导者,宣布推出EPC7030MSH,一种辐射硬化(RH)300伏氮化镓(GaN)FET,为高压、高功率的太空应用提供无与伦比的性能,包括下一代卫星电站和电推进系统。

随着卫星平台需要更高电压总线来支持日益增长的电力需求和先进的太阳能阵列技术,EPC7030MSH满足了高效、紧凑和强大前端电源转换的关键需求。

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超紧凑、高效率180W氮化镓降压转换器评估板,用于USB PD应用

超紧凑、高效率180W氮化镓降压转换器评估板,用于USB PD应用

不需要散热器的紧凑型180W GaN降压转换器—适用于USB PD、笔记本电脑和便携式电源应用。

加利福尼亚州埃尔塞贡多— 2025年6月 — 高效功率转换公司(EPC),即增强模式氮化镓(eGaN®)电力设备的世界领导者,宣布发布EPC91109,这是一款高性能评估板,旨在展示eGaN FETs在紧凑、热效率高的双相同步降压转换器中的优势。该产品针对USB电源传递(USB-PD 3.1)应用,功率可达180W,适用于空间和功率受限的设计,如笔记本电脑、便携设备和电池供电系统。

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基于氮化镓的多电平变换器的设计技术与现实世界实现

基于氮化镓的多电平变换器的设计技术与现实世界实现

现代电力系统要求更高的效率、增加的功率密度以及减少的电磁干扰(EMI)——同时还要遵守日益缩小的尺寸限制。在应对这些挑战的转换器拓扑中,飞行电容多级(FCML)转换器因其独特的优势而脱颖而出。当与氮化镓(GaN)功率晶体管结合使用时,FCML转换器提供了前所未有的性能水平,特别是在中压应用领域,如48V数据中心电源传输、电池管理系统和高效率功率因数校正(PFC)电路。

电力系统设计
2025年6月
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高效率氮化镓逆变器将氮化镓功率带入中压电机驱动器

高效率氮化镓逆变器将氮化镓功率带入中压电机驱动器

EPC9196是一个25 ARMS、三相BLDC电机驱动逆变器,专为96–150 V电池应用进行了优化

EL SEGUNDO,加利福尼亚州— 2025年1月 — 高效功率转换公司(EPC),增强模式氮化镓(eGaN®)功率器件的世界领导者,宣布推出EPC9196,一款高性能的25 ARMS三相BLDC电机驱动逆变器参考设计,由EPC2304 eGaN FET提供动力。EPC9196专为中压(96 V – 150 V)电池供电的电机驱动应用而设计,包括自动引导车辆(AGVs)的转向系统、紧凑型自动车辆的牵引电机以及机器人的精密电机关节

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视频:下一代氮化镓平台用于高密度直流-直流转换器

视频:下一代氮化镓平台用于高密度直流-直流转换器

下一代GaN平台正在推动高密度DC-DC转换器技术的重大飞跃,相比传统的硅基解决方案,提供了前所未有的性能提升。在这次演讲中,Alex Lidow探讨了100V和40V GaN设备的发展,展示了它们在48V至12V电力转换中的作用。本环节突出了GaN技术如何彻底改变电力转换,为高性能应用中更小、更高效、成本更低的解决方案提供基础。

PCIM技术舞台
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EPC推出新型40伏氮化镓功率晶体管,瞄准低压硅领域的要塞

EPC推出新型40伏氮化镓功率晶体管,瞄准低压硅领域的要塞

El Segundo, CA — 2025年5月 — 高效功率转换公司(EPC),增强模式氮化镓(GaN)功率晶体管和集成电路的领导者,宣布EPC2366现已上市,这是一款40伏,0.8毫欧的设备,旨在取代高性能DC-DC转换器和同步整流器等要求严苛的应用中的传统低压硅MOSFET。

拥有业界领先的RDS(on) x QG优值(10毫欧·纳库仑),零反向恢复和出色的热性能,EPC2366在3.3毫米 x 2.6毫米PQFN封装中提供更高效率、更快的切换和更大的功率密度。EPC2366支持更高频率的运行和高密度48伏转换器的系统缩小,适用于AI服务器和数据通讯、高频同步整流器以及24伏电池驱动电机。

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EPC 在 2025 年欧洲 PCIM 展示最新 GaN 技术

EPC 在 2025 年欧洲 PCIM 展示最新 GaN 技术

EL SEGUNDO,加利福尼亚州 — 2025年4月 — EPC,全球领先的增强模式氮化镓(GaN)电力解决方案提供商,将在2025年欧洲PCIM展会上展示其在高性能GaN技术方面的最新进展,展会将于5月6日至8日在德国纽伦堡举行。

欢迎访问EPC在9号馆318展位,观看各种基于GaN的电力解决方案,这些方案为下一代应用提供动力—从高密度计算到为仿人机器人、汽车电气化和卫星提供动力的电机驱动。现场演示将突出展示EPC最新的GaN FET和IC在现实世界应用中的表现,强调其相比硅解决方案在体积更小、效率更高和成本更低等方面的优势。

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使用车规级GaN场效应晶体管的低成本IToF激光驱动器

使用车规级GaN场效应晶体管的低成本IToF激光驱动器

EL SEGUNDO,加利福尼亚州— 2025年4月 — 高效功率转换(EPC),增强模式氮化镓(GaN)功率晶体管和集成电路的领导者,推出了EPC91116,这是一款高速、高电流激光驱动评估板,专为汽车和工业感测中的间接飞行时间(iToF)应用而设计。该评估板围绕着符合AEC-Q101标准的EPC2203 eGaN® FET构建,提供纳秒级性能,并具有灵活、低成本的架构,简化了原型制作并加速了上市时间。

随着iToF系统在汽车驾驶监控、车内感应和3D映射中变得至关重要,设计师需要准备好用于资格认证和生产的工具。EPC91116通过支持高达10 A的峰值电流、窄至5 ns的脉冲宽度和高达100 MHz的切换速度,满足了这一需求。

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APEC 2025:行业为 AI 处理器打造垂直电力传输解决方案

APEC 2025:行业为 AI 处理器打造垂直电力传输解决方案

本月的 How2Power 通讯报道了 EPC 在 2025 年 APEC 展会上的参与情况。在展会上,EPC 展示了一个实物大小的服务器展示和尖端的基于氮化镓的电源转换器,包括一个 48 V 至 12 V LLC 参考设计,提供超过 95.5% 的效率和 >5 kW/in³ 的功率密度。首席执行官 Alex Lidow 还展示了一款紧凑的 5 kW AC-DC 电源,功率密度超过 100 W/in³,突出了氮化镓对服务器电源架构的影响。在机器人方面,EPC 的人形大使“Greg”和一款为电机关节设计的微型氮化镓逆变器,说明了为什么氮化镓在智能机器的世界中迅速变得必不可少。

How2Power
2025 年 4 月
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EPC 对其在美国专利商标局初步决定中的强势法律地位充满信心;针对Innoscience产品的ITC进口禁令仍然有效

EPC 对其在美国专利商标局初步决定中的强势法律地位充满信心;针对Innoscience产品的ITC进口禁令仍然有效

加利福尼亚州埃尔塞贡多市 – 2025年3月 – EPC公司高兴地宣布,美国专利局在IPR2023-01381决定中加强了‘294专利,增加了两项对商业增强模式GaN设备至关重要的新专利权利要求。尽管美国专利商标局还取消了两项成为ITC侵权判决基础的权利要求,EPC将会对美国专利商标局取消其权利要求的决定提出上诉。历史上,EPC的专利在包括美国和中国在内的多个司法管辖区得到了维护,这加强了EPC期望最终结果将最终对其有利的预期。

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EPC宣布100V GaN功率晶体管的新基准

EPC宣布100V GaN功率晶体管的新基准
EPC 推出 EPC2367,这是一款 100 V GaN FET,具有超低 1.2 mΩ RDS(on)、卓越的效率和热性能,推动 AI、机器人技术和汽车电源的发展。

加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2025 年 3 月 – 增强型氮化镓 (GaN) 功率晶体管和 IC 领域的领导者 Efficient Power Conversion (EPC) 推出了 EPC2367一款新一代 100 V eGaN® FET,为功率转换应用提供卓越性能、更高效率和更低系统成本。

该产品专为 48 V 中间电压总线架构设计,EPC2367 通过降低功率损耗、提高效率并实现更紧凑和经济高效的设计,大幅提升了电源系统的性能。与上一代 GaN 及传统硅 MOSFET 解决方案相比, 该新器件树立了性能基准。

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EPC 发布第 17 期可靠性报告:推进 GaN 可靠性和寿命预测

EPC 发布第 17 期可靠性报告:推进 GaN 可靠性和寿命预测

加利福尼亚州埃尔塞贡多 — 2025 年 2 月 — EPC,氮化镓 (GaN) 功率器件的领导者,宣布发布其 第 17 期可靠性报告,进一步巩固 GaN 在电力电子、汽车、人工智能、航天和工业应用中的高可靠性技术地位。

最新的可靠性报告引入了扩展的寿命模型、特定任务的可靠性预测以及基于物理的老化机制,为工程师提供更准确、更实用的 GaN 功率器件可靠性数据。

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使用低压 eGaN FET 提高高压服务器电源的功率密度 - 第一部分

使用低压 eGaN FET 提高高压服务器电源的功率密度 - 第一部分

这是第一部分文章,概述了在高电压应用中使用低电压氮化镓(GaN)器件的情况,举例说明了240 VAC源5 kW图腾柱功率因数校正(PFC)和400 VDC至50 VDC隔离LLC转换器。通过FOM(图形优化方法)分析显示,使用低电压器件可以显著提升性能。这种优势还体现在通过减小磁性组件的尺寸和降低EMI滤波器的需求,从而增加了功率密度。

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EPC将在APEC 2025展示GaN技术在人工智能、机器人和高密度电源转换应用中的创新成果

EPC将在APEC 2025展示GaN技术在人工智能、机器人和高密度电源转换应用中的创新成果

EPC的GaN专家将在APEC期间展示最新一代的GaN FET和IC,并应用于各种领域。

EL SEGUNDO, 加利福尼亚州 — 2025年2月 — EPC,全球领先的增强型氮化镓(GaN)电源解决方案提供商, 将在应用电力电子大会(APEC)2025上重点展示人工智能、机器人及其他高密度电源转换应用的最新突破。 该活动将于3月16日至3月20日在佐治亚州亚特兰大举行。EPC将在1231号展位展示GaN如何革新人工智能基础设施、人形机器人、工业及消费类应用。

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优化 PCB 热设计以适应 GaN FET:电力电子工程师指南

优化 PCB 热设计以适应 GaN FET:电力电子工程师指南

氮化镓(GaN)场效应晶体管(FETs)已经通过其卓越的性能特点彻底改变了电力电子技术。然而,像所有电力设备一样,热管理仍然至关重要。在印刷电路板(PCB)级别上有效的热设计可以显著提高冷却效果,而无需使用散热器。本文提出了一些简单的热管理指南,通过仅使用PCB最大化从GaN FETs到环境的热传导,并优化热性能,而无需使用散热器。

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Moore’s Lobby: GaN 在人工智能、机器人和我们的生活中崭露头角

Moore’s Lobby: GaN 在人工智能、机器人和我们的生活中崭露头角

Efficient Power Conversion (EPC) 首席执行官 Alex Lidow 讲述了他在半导体行业的历程、家族的传承以及氮化镓技术的突破性创新。

在本期播客中,EPC 首席执行官 Alex Lidow 分享了他在半导体领域的经历,以及他如何创立 EPC 专注于氮化镓 (GaN) 技术,并认识到其相较于硅更优越的效率和潜力。展望未来,Alex 对新兴应用充满期待,例如人形机器人,在这些应用中,GaN 在电机、人工智能和激光雷达中的集成有望颠覆行业。

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