项目及活动

参观EPC在2025年欧洲PCIM展会

参观EPC在2025年欧洲PCIM展会

PCIM欧洲2025年

2025年5月6日,星期二 - 2025年5月8日,星期四 德国纽伦堡

在德国纽伦堡的2025年欧洲PCIM展会上,欢迎访问EPC展位(展馆9,展位318)。EPC自豪地展示了业界最全面的氮化镓(GaN)电力转换解决方案的实际应用。

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EPC活动日程

2025年5月6日,星期二

海报展示:基于GaN的5千瓦四级图腾柱PFC转换器,用于AI服务器电源
演讲者:Marco Palma

介绍一种紧凑型飞行电容多级(FCML)无桥功率因数校正(PFC)整流器,用于AI服务器的高效率和高密度开关电源。这是一个基于200V GaN器件的5千瓦四级FCML图腾柱PFC,设计符合最新的开放计算项目(OCP)指南。

2025年5月7日,星期三

Bodo’s Power Systems – GaN专家论坛 @ PCIM 2025
嘉宾: Alex Lidow 博士

Bodo’s Power Systems 将在 2025 年 PCIM 上举办 GaN 专家论坛,届时功率电子领域的领军人物将探讨氮化镓(GaN)技术的最新创新、面临的挑战以及推动其应用的市场趋势。不要错过这个与行业先锋面对面交流、共同塑造宽禁带功率电子未来的机会。

2025年5月7日,星期三

5千瓦隔离型400V至50V,用于服务器电源的DC-DC转换器
演讲者:Michael de Rooij

数据中心不断增长的电力需求推动了对更高功率密度和效率的转换器的需求。本文介绍了一个符合开放计算ORv3规范的服务器机架电源隔离阶段的解决方案,包括四个具有堆叠初级和并联次级的LLC转换器,输入400V,输出50V。提出两种变压器方案,以实现最高峰值效率(约98.5%)或最高满载效率(约98%)。该转换器可以连续处理5.5千瓦,并且体积为80 x 70 x 27毫米,实现了596 W/in³ (36.4 W/cm³)的功率密度。

2025年5月8日,星期四

设计基于GaN FET的多级三相逆变器,用于高压汽车应用
演讲者:Fabio Mandrile, 杜林理工大学

介绍了一个四级飞行电容多级(FCML)三相400V直流,50ARMS牵引逆变器的设计、布局和实现。该逆变器既是一个示范器,也是更高功率模块化解决方案的基本构建块。

2025年5月8日,星期四

下一代GaN平台,用于高密度DC-DC转换器
演讲者:Alex Lidow, 博士

下一代GaN平台正在推动高密度DC-DC转换器技术的重大飞跃,提供了传统基于硅解决方案无法比拟的性能改进。这次演讲探讨了100V和40V GaN器件的发展,展示了它们在48V至12V电力转换中的作用。此环节突出了GaN技术如何革新电力转换,为高性能应用中的更小型、更高效和成本更低的解决方案提供基础。

网络研讨会:用于仿人机器人、无人机和电动移动性的高效率氮化镓电机驱动技术

网络研讨会:用于仿人机器人、无人机和电动移动性的高效率氮化镓电机驱动技术

2025年5月7日 上午10:00 CST(北京时间) 在线

演讲者:胡晨,高级现场应用工程师,EPC

由EETimes中国赞助

如仿人机器人等新应用对高效率和小型电机提出了更高的要求。在此网络研讨会中,EPC的现场应用工程师将分享用于电机驱动应用的氮化镓(GaN)设计技术。我们将深入解释如何利用具有更高开关频率、更短死区时间、更低导通电阻和更快开关速度的GaN来设计高效率的驱动器。

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eePower Asia 2025: Increasing Power Density using Low Voltage eGaN FETs in High-Voltage Server Power

eePower Asia 2025: Increasing Power Density using Low Voltage eGaN FETs in High-Voltage Server Power

May 27, 2025 9:30 am – 11:15 am CST (Beijing time) Online

Speaker: Pei-Cheng Huang, Field Application Engineer, EPC

Sponsored by EETimes China

The increasing power demand in data centers, led by advances in artificial intelligence, is driving the need for converters with higher power density and efficiency. These converters typically consist of two stages: a Power Factor Correction (PFC) circuit and an Isolated DC-DC converter. The PFC operates from a supply voltage of 240 VAC and generates a 400 VDC bus. The DC-DC stage down converts to 50 V while providing isolation. In addition, such power supplies must comply with the recent requirements released by the Open Compute ORV3 standard and fit within the specific form factor and dimensions.

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主要磨损机制负责肖特基型 pGaN 栅极和氮化镓 HEMT 中的第一原理寿命建模

主要磨损机制负责肖特基型 pGaN 栅极和氮化镓 HEMT 中的第一原理寿命建模

2025年化合物半导体周

2025年5月30日 班夫,阿尔伯塔省

演讲者:张胜科 博士

本论文研究了Schottky型pGaN门高电子迁移率晶体管(HEMTs)的主要磨损机制。通过利用实验数据和基于物理的见解,开发了一个基于第一原理的寿命模型,该模型能够准确预测在各种应力条件下的门磨损。所提出的模型为功率GaN HEMTs在汽车和工业系统等苛刻应用中的可靠性预测提供了精确的方法。结果与加速寿命测试显示出强烈的相关性,为设备资格认证和寿命保证提供了一个坚实的框架。

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