Motor Drive Demos

电机驱动研讨会

Motor Drive

ePower™ Stage

发布日期 部件号 逻辑电路标称电压 （V） 输入电压最大值 （V） 典型值
RDS(on)
(mΩ) 		Rated Output
Current
(A) 		特色 短路故障保护
TJ
(°C)
最大值 		封装尺寸
(毫米) 		开发板
EPC2152 GaN FET
 EPC2152 半桥
ePower™ Stage		 12 70 10 12.5 电平转换电路、
自举电路		 欠压闭锁 150 LGA 3.65 x 2.59 EPC90120

GaN FETs 及集成电路

器件型号 配置 VDS RDS(ON)(mΩ)
(VGS = 5 V) 最大值 		QG
(nC)
典型值 		QGS
(nC)
典型值 		QGD
(nC)
典型值 		QOSS
(nC)
典型值 		最大脉冲峰值电流 ID(A)
(25°C、 Tpulse = 300µs) 		封装
(mm) 		半桥式开发板
EPC2101 GaN FET
 EPC2101 半桥 60 11.5
2.8		 3.3
13		 1.1
3.9		 0.5
2.2		 9.3
45		 80
350		 BGA 6.05 x 2.3 EPC9037
EPC2102 GaN FET
 EPC2102 半桥 60 4.9 8 2.5 1.5 26
31		 220 BGA 6.05 x 2.3 EPC9038
EPC2039 GaN FET
 EPC2039 单路 80 25 1.91 0.76 0.42 7.64 50 BGA 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2105 GaN FET
 EPC2105 半桥 80 14.5
3.6		 2.7
11		 0.9
3		 0.5
2.1		 11
51		 70
300		 BGA 6.05 x 2.3 EPC9041
EPC2103 GaN FET
 EPC2103 半桥 80 5.5 6.5 2.2 1.1 30
34		 195 BGA 6.05 x 2.3 EPC9039
EPC2021 GaN FET
 EPC2021 单路 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 EPC9034
EPC2106 GaN FET
 EPC2106 半桥 100 70 0.73 0.24 0.14 3.96
4.68		 18 BGA 1.35 x 1.35 EPC9055
EPC2212 GaN FET
 EPC2212 单路(AEC-Q101) 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2001C GaN FET
 EPC2001C 单路 100 7 7.5 2.4 1.2 31 150 LGA 4.1 x 1.6 EPC9013
EPC2045 GaN FET
 EPC2045 单路 100 7 6 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 N/A
EPC2104 GaN FET
 EPC2104 半桥 100 6.8 6.8 2.3 1.4 35
41		 180 BGA 6.05 x 2.3 EPC9040
EPC2053 GaN FET
 EPC2053 单路 100 3.8 11.4 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093
EPC2022 GaN FET
 EPC2022 单路 100 3.2 13.2 3.4 2.4 71 390 LGA 6.05 x 2.3 EPC9035
EPC2034C GaN FET
 EPC2034C 单路 200 8 11.4 3.8 2.1 95 213 LGA 4.6 x 2.6 EPC9048C

氮化镓器件的可靠性

在前十份报告 [1-10]中发布的、不断增长的知识基础上，第十一阶段产品可靠性测试报告进一步描述几个关键的全新题目。从2010年3月[11]量产以来，氮化镓（GaN）功率器件建立及累积了卓越的现场可靠性测试记录。本文讨论如何实现这个良好记录的策略，是在各种测试条件下，采用失效性测试器件（test-to-fail）的方法，反复对器件进行应力测试，从而找出器件的失效原因，并且为业界构建更坚固的产品。

宜普电源转换公司 的Alejandro Pozo博士、Shengke Zhang博士、Ricardo Garcia、John Glaser博士及Robert Strittmatter博士

第十一阶段产品可靠性测试报告

Phase 11 reliability
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