线上研讨会：实际航太应用中的氮化镓器件的可靠性

GaN FET和IC在航太应用中得以普及的原因是由于它具备卓越的性能，包括高效率、高功率密度、开关快和耐辐射。这些优势有助于提高系统可靠性、减轻重量和缩小尺寸，以及增强器件在充满挑战和严苛的太空环境中完成任务的能力。

在本次线上研讨会上，我们将深入探讨“测试器件至失效”的方法如何可以准确预测到在航太应用中工作的GaN FET和IC的产品寿命，包括DC/DC转换、电机驱动、激光雷达和电力推进器。

是次线上研讨会的内容包括：

1. 介绍氮化镓技术及它在航太应用中的优势。
2. 深入探討“测试器件至失效”的方法和它如何在严峻航太环境下，准确预测到GaN FET和IC的产品寿命。
3. 从实际用于航太应用的氮化镓器件的性能可以看到，氮化镓器件具备优越的可靠性。
4. 问答环节，为您答疑解难。

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