How to GaN Webinar Series

产品可靠性线上研讨会

如何反复测试器件以构建比硅器件更稳固的氮化镓功率器件
(Conducted in Mandarin, English, and Japanese)

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参加线上研讨会,学习如何使用:

  • 基于物理学的器件寿命模型,验证在栅极应力测试下、整个电压和温度范围内所预测到的eGaN器件寿命数据。
  • 基于“第一原理”的数学模型,透过了解进入表面陷阱的热载流子的基本物理学原理,描述eGaN FET动态导通电阻的影响。该模型在基于更复杂任务剖面的器件寿命评估时,最有效预测在整个电压和温度范围内的器件寿命。
  • 在四年内受测器件操作达2,260亿小时的现场可靠性数据,其中大部分器件用于车载应用或电信基站。

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张声科博士是宜普电源转换(EPC)公司的失效分析及可靠性部门经理,负责氮化镓元器件以及集成电路的可靠性失效分析的工作。在加盟EPC之前,张博士是高级材料失效分析工程师,致力于用于手机的高频微机电系统(RF-MEMS)元器件的研发。张博士于2011年获取华中科技大学材料科学工程学士学位、于2016年获得美国亚利桑那州立大学材料科学工程博士学位,师从在半导体材料研究享誉世界的Nathan Newman教授, 专攻面向手机及先进计算机应用的高性能电子绝缘材料研究。他是20多篇学术论文的作者及共同作者,以及曾经出任JEDEC固态技术协会的氮化镓电力电子半导体委员会(JC-70)委员和内部组织联系人。

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