会议报告
无束缚机器人未来：用于移动性、AI和机器视觉的GaN解决方案
随着我们迈向机器人独立操作的未来，氮化镓（GaN）作为一种变革性技术，为机器人提供了卓越的移动性、人工智能（AI）和机器视觉解决方案。本次主题演讲将探讨GaN在这些关键领域的变革性影响，突出其在提高电机驱动效率、实现复杂的AI功能和改进机器视觉能力方面的作用。了解GaN解决方案如何使自主机器人变得更高效、更智能、更感知。
主讲人：Alex Lidow
展商论坛：8月28日，12:10pm - 12:30pm
WLCSP GaN电力设备的板级温度循环寿命预测
晶圆级芯片级封装（WLCSP）氮化镓（GaN）电力设备已被应用于越来越多需要高板级温度循环（TC）可靠性的先进应用中。在这项研究中，通过实施“测试到失败”的方法，开发了一个全面的TC寿命模型，考虑了不同的设备尺寸和变化的焊盘阵列（LGA）焊接凸点尺寸。使用COMSOL有限元分析（FEA）模拟根据焊料疲劳模型预测TC寿命。模拟结果与实验数据一致，验证了提出的TC寿命模型。
主讲人：Shengke Zhang, Ph.D.
海报对话会：8月29日，1:30pm - 2:30pm
eGAN® FETs半桥配置中的板侧和背侧热管理技术比较
GaN FET的特点提供了具有快速开关和低导通电阻的高功率密度转换器，然而，它们物理上更小，并且有不同于硅的封装方式。当在应用中使用时，结果是更高的热通量密度限制了转换器的功率处理能力。需要各种热策略来利用GaN FETs的潜力，降低印刷电路板（PCB）和外部散热器的热阻。使用热通道、热扩散器、PCB两侧的散热器和高性能热界面材料（TIM）进行配置选项的研究。实施这些技术可以在没有散热器的情况下将从结到环境的热阻（RθJA）降低30%，并且在有散热器的情况下降低超过60%。
主讲人：Adolfo Herrera, Ph.D.
口头报告：8月29日，3:05pm - 3:30pm
验证GaN HEMTs占空比重复性栅极和漏极瞬态过电压规格
重复性瞬态过电压振铃是基于GaN的宽带隙电源转换器的常见开关特性。之前为漏极关断和栅极开通瞬态提出了1%占空比过电压（DCOvervoltage）规格。在这项工作中，开发了一个综合模型，考虑了过电压振铃和标称偏置的寿命贡献。使用电阻和电感硬开关电路进行原位RDS(on)测量，通过考虑1% DCOvervoltage预测的寿命验证了1% DCOvervoltage的漏极寿命。通过考虑1% DCOvervoltage，预测栅极寿命超过50年，故障率为10 ppm，进一步验证了提出的规格。
主讲人：Shengke Zhang, Ph.D.
口头报告：8月30日，3:30pm - 3:55pm
独家会议
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