5月 28, 2026
Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC
数字世界的发展速度比以往任何时候都快。我们正处于一场新的 AI 工业革命之中,数据中心正在转变为 AI 工厂,即高密度、专门构建的设施,用于大规模创造智能。人工智能不再只是一场软件革命,它正迅速成为一场基础设施革命。这种计算范式的转变非常深刻:人类不再是唯一与 AI 互动的对象;相反,越来越复杂的代理式 AI 模型正在与其他 AI 代理对话,协调任务、自主推理,并处理极长的 token 序列。
5月 26, 2026
在本视频中,我们将介绍 EPC90167,这是一款专为40 V EPC2366 eGaN FET设计的半桥评估板。这款紧凑型2.5 x 2英寸电路板集成了栅极驱动器、死区时间生成、极性控制以及所有关键无源元件,使您能够快速评估高效率、高频功率转换。我们将介绍其主要特性、工作模式和测试点,并展示其如何轻松配置为降压或升压转换器,适用于现代电机驱动、DC-DC转换器和AI电源应用。
5月 12, 2026
The full article was originally published in EPDT The history of power electronics has been a predictable cadence of material limits, architectural shifts, and a new semiconductor platform resetting expectations. Today that transition is happening again, this time with gallium nitride (GaN).
5月 04, 2026
在本视频中,来自 EPC 的 Marco Palma 和 Andrea Nicotera 展示了两款高性能参考设计的实验测试:EPC91107 四电平飞跨电容图腾柱 PFC,以及 EPC91110 四电平 ISOP LLC 谐振 DC-DC 转换器。视频拍摄于都灵理工大学电力电子创新中心,演示了一套完整的 5.5 kW AC 至 50 V DC 转换链路,重点介绍了测试设置、测量设备,以及该系统在高功率水平下的出色效率。
4月 29, 2026
本视频评测的是 EPC91122,这是一款基于 GaN(氮化镓)的紧凑型三相 BLDC 无刷直流电机驱动逆变器,专为 人形机器人 关节及其他空间受限的执行器而优化。该产品基于 EPC33110 共封装 GaN 模块打造,将功率级、栅极驱动器、传感、控制和通信功能集成在一块圆形电路板上。凭借板载 STM32 微控制器、磁编码器、精确的电流和电压检测,以及 RS‑485/JTAG 接口,它可为先进机器人应用提供高效率、快速动态响应和可靠性能。
4月 28, 2026
By: Maurizio Di Paolo Emilio, Contributing Editor at Data Centre Digest
Artificial intelligence workloads are rapidly reshaping data center power architectures. Conventional server infrastructure was not originally designed to sustain today’s extreme compute density requirements. As a result, modern facilities increasingly resemble “AI factories,” where maximizing computational throughput per rack is a primary objective.
4月 15, 2026
GaN is going mainstream in power electronics for AI, robotics, and cars. At APEC 2026, EPC's Nick Cataldo discusses GaN system-level value and cost advantages.
4月 13, 2026
摘要:在这篇文章中,我们将讨论氮化镓在不同场景中的落地路径。氮化镓不是简单替代原有器件,而是在工程师遇到系统瓶颈时,打开重新设计的空间。以汽车系统应用为例,48 V 直流,可将系统燃油效率提高多达15%,为整车系统所看中的可靠性、装配兼容性和总成本控制带来益处。
4月 08, 2026
High-performance AI clusters and humanoid robots share a critical engineering challenge - namely the need for immense current within compact, thermally-constrained enclosures. At traditional low voltages, power distribution has hit a physical ceiling, where excessive I2R losses and connector bulk create unsustainable thermal stress. To solve this, industry architectures are converging on a 48V nominal power distribution backbone (peaking at 58V).
3月 31, 2026
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GaN FET 及集成电路
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The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion (How2AppNote 005)
How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout (How2AppNote 007)