博客 -- 氮化镓技术如何击败硅技术

10月 01, 2024

前五大理由选择uP1966E作为您的下一个设计

Steve Colino, Vice President, Strategic Technical Sales

在快速发展的电力电子世界中,为您的设计选择合适的组件至关重要。走在技术前沿意味着选择能够提高效率、简化设计并降低成本的组件。

4月 08, 2024

利用基于氮化镓器件的电机驱动器优化死区时间的技术

Andrea Gorgerino, Director of Global Field Application Engineering

借助我们的死区时间优化指南,释放基于氮化镓器件的电机驱动器的潜力。提高效率、增强绩效和提高投资回报率。

2月 08, 2024

Picotest如何使用eGaN FET设计突破性高速瞬态负载电流步进器——彻底改变数据中心、AI、EV、ASIC和服务器应用的电源系统测试

Renee Yawger, Director of Marketing

了解由EPC的eGaN FET供电的Picotest瞬态负载电流步进器如何改变数据中心、人工智能、电动汽车等领域的电力系统测试。

1月 22, 2024

BrightLoop转换器和EPC:合作伙伴推动电力转换边界并促进能源转型

Renee Yawger, Director of Marketing

高效电力转换和 BrightLoop 转换器 携手合作,结合各自的设计专长,旨在生产更小、更轻的转换器。在过去的六年中,这种充满活力的合作伙伴关系不仅在高效电力转换方面推陈出新,还在推动能源转型方面发挥了关键作用。成功的合作使 BrightLoop 转换器成为电动赛车(Formula E、Extreme E、LMDH 等)的主要供应商,并在 eVTOL 和新一代飞机等新市场中开辟了机会。

11月 14, 2023

如何选择最佳的氮化镓(GaN)栅极驱动器

Chang-Woo Ryu, Senior FAE, Korea

了解在选择氮化镓(GaN)栅极驱动器时应考虑的关键因素,在这里为您的电力电子产品设计做出最佳选择。

8月 24, 2023

这是氮化镓 (GaN) 加速车辆电气化的方法 - 从内燃机 (ICE) 到中度混合电动汽车 (MHEV) 到纯电动汽车 (BEV)

Renee Yawger, Director of Marketing

在过去的三十年中,汽车电子经历了显著的演变,从传统的内燃机(ICE)过渡到电池电动汽车(BEV)的出现。这一进程不仅改变了车辆的运行方式,还推动了电力分配架构和半导体组件的重大变化。在这篇博客文章中,我们将探讨这一演变的三个主要阶段——从内燃机(ICE)到轻度混合动力(MHEV)再到电池电动汽车(BEV),并探讨低压电力分配在塑造汽车格局中的作用。

8月 08, 2023

氮化镓器件在医疗技术应用的潜力

Renee Yawger, Director of Marketing

为您的医疗技术应用选择氮化镓产品时,请考虑性能要求、尺寸和重量限制、产品和供应商的可靠性,以及成本等因素。我们会针对这些因素为您提供最新一代的氮化镓器件的最佳组合 - 您只需在网上“产品选择指南”的最新一代器件、在状态栏中剔出“首选”。还有多种设计工具可为您的应用选择正确的氮化镓产品,包括降压计算器、热计算器和交叉参考工具,它们都可以在Power Bench工具套件中找到。

8月 05, 2023

为什么不应使用 Rds(on) 来选择和比较开关电源转换器中的器件

Andrea Gorgerino, Director of Global Field Application Engineering

与电压等级一起,RDS(ON) 是一个常见的参数,用于描述硅MOSFET和氮化镓FET。RDS(ON) 是在给定技术平台内描述器件尺寸及其成本的良好指标。然而,在大多数开关电源转换器中,损耗是导通损耗和开关损耗的组合。因此,RDS(ON) 既不是不同技术平台之间也不是同一技术平台内的可靠性能指标。 这在设计师从硅MOSFET转换到氮化镓FET时尤其如此。

8月 02, 2023

一种利用EPC9176评估板设计更高效真空吸尘器电机驱动逆变器的新方法

Marco Palma, Director of Motor Drives Systems and Applications

将新的设计方法应用于受欢迎的家用电器,允许所有用户在日常活动中为减少能源消耗做出贡献。EPC刚刚发布了一款新的演示板,EPC9176,这是一款三相BLDC电机驱动逆变器,旨在提高真空吸尘器电机的效率和性能。

5月 10, 2023

氮化镓器件的开关频率:在下一代高频电路中使用氮化镓技术

Renee Yawger, Director of Marketing

氮化镓(GaN)器件是一种非常坚硬和在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料,用于生产功率器件、射频元件和发光二极管 (LED)。其开关频率远高于硅器件,使电力电子设计人员能够利用氮化镓器件创建更小、更高效、性能更高的系统,这是以前采用硅技术难以实现。