GaN 基础知识：混合结构、HEMT 和衬底选择 技术分享GaN技术杂谈 – Maurizio Di Paolo Emilio 3月 20, 2026 关于氮化镓（GaN）基础知识的本系列文章第 1 部分 介绍了晶体结构和二维电子气（2DEG）的形成，以及材料品质因数和从耗尽型到增强型 GaN HEMT 的转变。 第 2 部分将概述混合结构和 RDS(on) 损耗代价，并进一步介绍 GaN HEMT 以及 GaN 的衬底选择。文章还将论证通向单片集成的发展路径，同时说明欧姆接触、金属化和封装优势如何推动这一设计路线图。 EDN 阅读文章 Tags: Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC