GaN技术杂谈

EPC开发板提供了在常见应用中评估eGaN® FET和IC的机会。例如，EPC9094半桥开发板可以配置为降压或升压转换器。EPC9094的特点是新发布的EPC2054 200 V 43 mOhm最大eGaN FET，封装为1.3 x 1.3 mm的2 x 2引脚WLCSP封装。这种非常小的FET的超低RDS(on)值使其能够支持高压电源的高电流负载。为了展示这一能力，我们将把EPC9094开发板修改为降压转换器。使用140 V电源，Spice模拟显示2.5 A负载下，输出为28 V，效率高达90%。选择了Vishay IHLP-4040DZET330M11电感，33 uH，4.4 A，95 mOhm最大值，10.2 x 10.8 x 4 mm，它将在500 kHz时提供40%的纹波。输出电容包括四个10 uF Y5V 50V 1210陶瓷电容。模拟显示在500 kHz到375 kHz之间改变开关频率时，纹波电流与整体效率之间存在权衡。模拟还显示，调整死区时间以允许从高到低的全ZVS过渡最大化了降压转换器在轻载下的效率性能。