5月 10, 2023
Renee Yawger, Director of Marketing
氮化镓(GaN)器件是一种非常坚硬和在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料,用于生产功率器件、射频元件和发光二极管 (LED)。其开关频率远高于硅器件,使电力电子设计人员能够利用氮化镓器件创建更小、更高效、性能更高的系统,这是以前采用硅技术难以实现。
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GaN FET 及集成电路
评估板
The Growing Ecosystem for eGaN FET Power Conversion (How2AppNote 005)
How to Design an eGaN FET-Based Power Stage with an Optimal Layout (How2AppNote 007)