GaN技术杂谈

与电压等级一起，RDS(ON) 是一个常见的参数，用于描述硅MOSFET和氮化镓FET。RDS(ON) 是在给定技术平台内描述器件尺寸及其成本的良好指标。然而，在大多数开关电源转换器中，损耗是导通损耗和开关损耗的组合。因此，RDS(ON) 既不是不同技术平台之间也不是同一技术平台内的可靠性能指标。 这在设计师从硅MOSFET转换到氮化镓FET时尤其如此。