GaN技术杂谈

骆乾，“三代半食堂”创始人

PCIM Asia 2026 上，EPC 展示了面向 AI 处理器供电的 Gen 8 单片 GaN 功率级。

作为 EPC 面向下一代 AI 处理器侧高频多相 POL / IVR 场景开发的单片集成功率级，Gen 8 在同一 GaN 芯片上集成半桥功率开关、高速栅极驱动、自举电路（bootstrap）、电平移位与逻辑控制，并通过更低电荷、更高开关速度和更强过压承受能力面向 6 V 输入与 10 MHz 级运行。其系统意义不只是减少器件数量，而是缩小驱动回路寄生、降低噪声敏感性，并让控制侧采用更适合大量数字功能的高速工艺，从而支持更高相数和更紧凑的处理器侧布局。

在不断发展的电力电子领域中，效率、尺寸和可靠性始终是关键指标。EPC 以其最新创新产品 EPC2366 树立了新的行业标杆。这款 40 V GaN FET 采用超紧凑的 3.3 × 2.6 毫米 QFN 封装，充分展现了功率半导体技术的前沿水平。

在接受 MakerPROTW 特约编辑 Judith Cheng 的采访时，Efficient Power Conversion（EPC）联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 介绍了公司目前已投入量产的第七代氮化镓（GaN）技术，以及该技术对传统上由硅 MOSFET 主导的低压应用所带来的影响。随着 40 V 的 EPC2366 等器件已进入批量生产，EPC 正将 GaN 定位为 40 V 及以下电压范围内的主流选择——这一市场规模甚至超过了 GaN 最初取得突破的 100 V 细分市场。