GaN技术杂谈

eGaN® FET能够比Si MOSFET更快地切换，因此需要更加仔细地考虑PCB布局设计，以最大限度地减少寄生电感。寄生电感会导致更高的过冲电压和较慢的切换过渡。本应用说明回顾了设计具有eGaN FET的最佳功率级布局的关键步骤，以避免这些不良影响并最大化转换器性能。