GaN技术杂谈

The full article was originally published in EPDT

The history of power electronics has been a predictable cadence of material limits, architectural shifts, and a new semiconductor platform resetting expectations. Today that transition is happening again, this time with gallium nitride (GaN).

近年来，氮化镓（GaN）功率器件的进步显著拓展了其在40 V以下低电压应用中的工作范围。由于硅MOSFET具有良好的导通性能、成熟的制造工艺以及经过验证的可靠性，历史上一直主导这一电压区间。

PCIM Mesago
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在接受 MakerPROTW 特约编辑 Judith Cheng 的采访时，Efficient Power Conversion（EPC）联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 介绍了公司目前已投入量产的第七代氮化镓（GaN）技术，以及该技术对传统上由硅 MOSFET 主导的低压应用所带来的影响。随着 40 V 的 EPC2366 等器件已进入批量生产，EPC 正将 GaN 定位为 40 V 及以下电压范围内的主流选择——这一市场规模甚至超过了 GaN 最初取得突破的 100 V 细分市场。

在摩纳哥举行的 Bodo Power Systems 宽禁带论坛上，EPC 创始人兼首席执行官 Alex Lidow 凭借其五十年电力半导体领域的经验，为 GaN 相关讨论定下了基调，重点强调了氮化镓（GaN）的显著优势。与来自德州仪器（Texas Instruments）、Navitas、英飞凌（Infineon）、东芝（Toshiba）、大众汽车（Volkswagen）和三菱（Mitsubishi）的专家同台交流时，他将 GaN 定位为低电压、高频系统的更优选择——应用领域涵盖 AI 数据中心、人形机器人、自动驾驶车辆以及 LiDAR。尽管 SiC 仍然是高电压应用的首选，但 Lidow 指出，GaN 已成为一种具有成本优势的技术，正在重塑负载点（PoL）供电架构——而且远不止于此。

随着人工智能（AI）、机器人和太空系统重新定义功率电子学的可能性，氮化镓（GaN）技术持续引领这一变革。在最近接受 Electronic Product Design & Test (EPDT) 的采访中，EPC 的首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 博士分享了他对 GaN 如何重塑半导体格局的见解——以及这种快速发展的技术接下来将走向何方。

封装的SEE免疫和抗辐射增强模式氮化镓（eGaN）器件在性能上显著优于老化的抗辐射硅MOSFET，能够在更高频率、更高效率和更高功率密度下工作，从而实现新一代的太空电源转换器。