GaN Wine Lounge 是一个轻松的视频对话系列,我们会在虚拟的一杯葡萄酒陪伴下,与客户、学术合作伙伴、编辑以及 EPC 团队成员一起畅谈 GaN——以及 GaN 之外的话题。在非正式、友好的氛围中,我们分享真实的实际经验、心得体会以及新的想法。我们还加入了简短的实验室特别篇,带您幕后直击实验过程以及 EPC 解决方案的真实应用。通过这一系列内容,我们建立联系,激发合作,并共同庆祝塑造 GaN 未来的人才与技术。
在本次访谈中,EPC 的 Maurizio Di Paolo Emilio 与 AccoTEST 全球市场总监刘慧鹏探讨了其十年来在氮化镓(GaN)及其他宽禁带器件测试领域的经验。刘慧鹏解释了为什么应将 GaN 视为集成电路(IC),而不仅仅是简单的分立器件,并介绍了 AccoTEST 的多站点晶圆级测试解决方案。他们还讨论了 AI 数据中心所面临的可靠性挑战、漏电流和 RDS(on) 等关键晶圆级参数,以及为什么未来 GaN 技术的突破将主要由应用需求驱动。
在本次访谈中,Episil 集团董事长 JH Shyu 介绍了该公司作为 EPC GaN 晶圆代工合作伙伴所发挥的作用。他概述了 GaN 制造面临的主要挑战,包括热管理、动态 RDS(on) 劣化、电磁干扰(EMI),以及 AI 服务器和汽车应用中的可靠性问题。Shyu 强调,从 6 英寸晶圆扩展到 8 英寸和 12 英寸晶圆、向垂直 GaN 技术过渡,以及集成一体化 GaN 功率 IC,是正在重塑电力电子行业的重要里程碑。
在本次访谈中,EPC 可靠性副总裁 Shengke Zhang 介绍了可在 4 开尔文温度下运行的全功能 GaN 功率转换器的开发过程。Zhang 解释了为什么 4 K 是超导和量子计算研究中的关键温度,以及为什么 GaN HEMT 在低温条件下的性能优于硅 MOSFET。他详细介绍了主要的工程挑战,尤其是布线和外围器件方面的问题,并概述了未来的研究方向,包括单片集成功率级、面向 AI 的系统级可靠性,以及低压 GaN 器件的短路耐受能力。