数据中心AC/DC转换

AC/DC 功率转换
氮化镓器件提高功率密度和降低成本

云计算、可穿戴设备、机器学习、自动驾驶和物联网等应用的扩展实现了更加数据密集的世界、对数据中心的需求更大和功耗随之而增加。交流到直流的开关电源的效率、功率密度和成本非常重要，从而推动了对GaN FET解决方案的需求，以实现具有超高效率的PFC前端整流器解决方案。

由于Titanium 80+的效率要求加速了要求最高功率密度的发展趋势，因此面向数据中心供电的图腾柱PFC逐渐普遍。氮化镓技术的快速开关在不影响PFC设计效率的情况下提高了功率密度。

氮化镓场效应晶体管和IC还能提高DC/DC转换400 V总线电压为48 V或12 V的效率且缩小尺寸。在次级侧、同步整流电路中，氮化镓场效应晶体管可以提供更低的栅极驱动和传导损耗、零反向恢复（Q_RR）、更高的开关频率，并且尺寸仅为MOSFET解决方案的1/15。氮化镓场效应晶体管的并联能力比硅的同类产品更好，以实现更高的功率和可靠性。氮化镓场效应晶体管和IC还具有出色的热性能。

参考设计

面向数据中心的AC/DC参考设计

	器件型号	描述	V_IN	V_OUT	l_OUT (A)	F_SW (kHz)	氮化镓器件型号
	PMP20978	基于氮化镓同步整流器的1 kW谐振转换器	390 V	48 V	21 A		EPC2033	Contact TI

我们的应用团队不断致力于推出新的参考设计。如果网页上列出的所有电路板未能满足您的要求，请向氮化镓专家提和与我们联系以进一步讨论您的应用。

半桥开发板可用于快速评估大多数 eGaN FET 和 IC。

产品

面向DC/DC功率转换的推荐器件

产品型号	产品状况	配置	V_DS 最大值	V_GS 最大值	最大值 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 典型值 (nC)	Q_GS 典型值 (nC)	Q_GD 典型值 (nC)	Q_OSS 典型值 (nC)	I_D (A)	脉冲电流 I_D (A)	封装 (mm)
EPC2055	Preferred	单路	40	6	3.6	6.6	2.3	0.7	13	29	161	LGA 2.5 x 1.5	寻找授权经销商
EPC2067	Preferred	单路	40	6	1.55	17.1	5.3	2	37	69	409	LGA 3.25 x 2.85	寻找授权经销商
EPC2066	Preferred	单路	40	6	1.1	25	8.9	3.2	59	90	639	LGA 6.05 x 2.3	寻找授权经销商
EPC2206	Preferred	单路和AEC认证	80	6	2.2	15	4.1	3	72	90	390	LGA 6.05 x 2.3	寻找授权经销商
EPC2044	Preferred	单路	100	6	10.5	4.3	1.3	0.5	15	9.4	89	BGA 2.15 x 1.25	寻找授权经销商
EPC2204	Preferred	单路	100	6	6	5.7	1.8	0.8	25	29	125	LGA 2.5 x 1.5	寻找授权经销商
EPC2088	Preferred	单路	100	6	3.2	12.5	4.4	1.4	47	60	231	LGA 3.5 x 1.95	寻找授权经销商
EPC2308	Engr	单路	150	6	6	10.6	3.8	1.4	50	48	157	QFN 3 x 5	寻找授权经销商
EPC2059	Preferred	单路	170	6	9	5.7	1.3	0.9	35	24	102	LGA 2.8 x 1.4	寻找授权经销商
EPC2207	Preferred	单路	200	6	22	4.5	1.3	0.7	23	14	54	LGA 2.8 x 0.925	寻找授权经销商
EPC2307	Engr	单路	200	6	10	10.6	3.8	1.3	58	48	130	QFN 3 x 5	寻找授权经销商
EPC2215	Preferred	单路	200	6	8	13.6	3.3	2.1	69	32	162	LGA 4.6 x 1.6	寻找授权经销商
EPC2304	Engr	单路	200	6	5	21	7.5	2.6	115	102	260	QFN 3 x 5	寻找授权经销商
EPC2050	Preferred	单路	350	6	80	2.9	1.3	0.3	35	6.3	26	BGA 1.95 x 1.95	寻找授权经销商