USB PD快充
基于氮化镓器件的USB PD快速充电器可以比传统硅基充电器小40%和充电速度快2.5 倍。氮化镓器件的热效率也更高,这意味着热耗能量更少,而更多的能量流向了正在充电的器件。
氮化镓器件实现小型化、超高效和卓越的热性能。
AC/DC电源、适配器、充电器
与硅基设计相比,氮化镓器件由于具有较低的开关损耗,因此可实现更高的开关频率和更高的功率密度。 这允许使用较小的无源元件,从而实现更紧凑和更轻的设计。
与硅器件相比,GaN FET和IC尽管尺寸很小,它具有更好的热性能,这意味可实现更高的效率和散热效率更高,从而使适配器不高温和免受因热力而损坏。
我们的应用团队不断致力于推出新的参考设计。如果网页上列出的所有电路板未能满足您的要求,请向氮化镓专家提和与我们联系以进一步讨论您的应用。
半桥开发板可用于快速评估大多数 eGaN FET 和 IC。
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