提高音量!D类音频系统的低功耗产生的热量更少,允许移除散热器、节省占板面积和成本,以及延长便携式系统的电池续航力。
在D类音频系统中,音频性能受 FET 特性的影响。GaN FET可实现具有更高保真度的D 类音频放大器。
GaN FET具有低导通电阻和低电容,可实现高效率和降低开环阻抗,从而实现低瞬态互调失真 (T-IMD)。此外,GaN FET的快速开关能力和零反向恢复电荷则可实现更高的输出线性度和低交叉失真,从而降低总谐波失真 (THD)。
我们的应用团队不断致力于推出新的参考设计。如果网页上列出的所有电路板未能满足您的要求,请向氮化镓专家提和与我们联系以进一步讨论您的应用。
半桥开发板可用于快速评估大多数 eGaN FET 和 IC。
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