交流/直流电源供电
与基于硅器件的设计相比,由于采用氮化镓器件的设计具有较低开关损耗,因此可实现更高的开关频率和更高的功率密度。这允许使用较小型化的无源元件,从而提供更紧凑和更轻的设计。
与硅器件相比,尽管GaN FET和IC很小型化,但它具有更好的热性能。
我们的应用团队不断致力于推出新的参考设计。如果网页上列出的所有电路板未能满足您的要求,请向氮化镓专家提和与我们联系以进一步讨论您的应用。
半桥开发板可用于快速评估大多数 eGaN FET 和 IC。
GaN Power Bench为你提供交叉参考搜索、设计工具、模型和性能仿真,以协助你的设计。取得宜普电源转换公司(EPC)持续扩充的GaN FET 和IC产品组合
您有关于面向通信交流/直流电源转换的氮化镓器件的提问吗? 向GaN技术专家提问