用于通信应用的氮化镓器件

交流/直流电源转换

氮化镓器件提高效率、缩小尺寸、热性能更好

交流/直流电源供电

与基于硅器件的设计相比，由于采用氮化镓器件的设计具有较低开关损耗，因此可实现更高的开关频率和更高的功率密度。这允许使用较小型化的无源元件，从而提供更紧凑和更轻的设计。

与硅器件相比，尽管GaN FET和IC很小型化，但它具有更好的热性能。

GaN AC/DC Communications

评估板

Communications AC/DC 参考设计

器件型号 描述 VIN VOUT lOUT
(A)		 FSW
(kHz)		 氮化镓器件型号  
PMP20978 开发板
 PMP20978 具有高电压 GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计 390 V 48 V 21 A EPC2033 Contact TI

我们的应用团队不断致力于推出新的参考设计。如果网页上列出的所有电路板未能满足您的要求，请向氮化镓专家提和与我们联系以进一步讨论您的应用。

半桥开发板可用于快速评估大多数 eGaN FET 和 IC。

产品

用于通信交流/直流电源转换的推荐氮化镓器件

产品型号 产品状况 配置 VDS
最大值		 VGS
最大值		 最大值
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS		 QG
典型值
(nC)		 QGS
典型值
(nC)		 QGD
典型值
(nC)		 QOSS
典型值
(nC)		 ID (A) 脉冲电流 ID
(A)		 封装
(mm)
EPC2371 Engr 单路 25 6 17 5 2 18 88 412 QFN 3.3 x 2.6 寻找授权经销商
EPC2378 Engr 单路 25 6 34 12 1.5 26 101 699 QFNb 3.3 x 3.3 寻找授权经销商
EPC2306 Preferred 单路 100 6 3.1 12.3 4.3 1.1 44 63 197 QFN 3 x 5 寻找授权经销商
EPC2302 Preferred 单路 100 6 1.8 23 8.9 2.3 85 133 408 QFN 3 x 5 寻找授权经销商
EPC2367 Preferred 单路 100 6 1.5 17 5.3 2.4 54 101 420 QFN 3.3 x 3.3 寻找授权经销商
EPC2361 Preferred 单路 100 6 1 28 8.5 3.8 90 133 697 QFN 3 x 5 寻找授权经销商
EPC2305 Preferred 单路 150 6 3 22 6.6 2.1 103 133 329 QFN 3 x 5 寻找授权经销商
EPC2307 Preferred 单路 200 6 10 10.1 3.5 1.2 58 63 130 QFN 3 x 5 寻找授权经销商
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