包络跟踪

包络跟踪是一种电源技术，用于通过跟踪功率需求来提高射频功率放大器的能效，而不是当今的固定电源系统。包络跟踪用于手机意味着更长的通话时间，而用于基站则意味着更小、成本更低的放大器，因为它用更少的能量且运行成本更低。

开关转换速度在亚纳秒范围内的氮化镓功率晶体管使能包络跟踪转换器和宽频隙射频功率放大器设计。GaN FET的超快开关支持高频多相降压转换器和其他用于包络跟踪的电源管理拓扑。

器件型号	描述	V_IN	V_OUT	l_OUT (A)	氮化镓器件型号
TIDA-01634	基于氮化镓器件的功率级参考设计，可在数兆赫(MHz)至高达50 兆赫高频率下操作，用于高速DC/DC转换器	20 to 60	5 to V_IN-5	5	EPC8009	寻找授权经销商
EPC9066	配备同步自举电路、驱动器的半桥器件	32	40	2.7	EPC8004	寻找授权经销商
EPC9067	配备同步自举电路、驱动器的半桥器件	52	65	2.7	EPC8009	寻找授权经销商
EPC9068	配备同步自举电路、驱动器的半桥器件	80	100	2.7	EPC8010	寻找授权经销商

我们的应用团队不断致力于推出新的参考设计。如果网页上列出的所有电路板未能满足您的要求，请向氮化镓专家提和与我们联系以进一步讨论您的应用。

半桥开发板可用于快速评估大多数 eGaN FET 和 IC。

产品型号	产品状况	配置	V_DS 最大值	V_GS 最大值	最大值 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 典型值 (nC)	Q_GS 典型值 (nC)	Q_GD 典型值 (nC)	Q_OSS 典型值 (nC)	I_D (A)	脉冲电流 I_D (A)	封装 (mm)
EPC8004	Active	单路	40	6	110	0.37	0.12	0.047	0.63	4	7.5	LGA 2.05 x 0.85	寻找授权经销商
EPC8002	Active	单路	65	6	480	0.133	0.057	0.015	0.344	2	2	LGA 2.05 x 0.85	寻找授权经销商
EPC8009	Active	单路	65	6	130	0.37	0.12	0.055	0.94	4	7.5	LGA 2.05 x 0.85	寻找授权经销商
EPC2038	Active	带栅极二极管的单路	100	6	3300	0.044	0.02	0.004	0.134	0.5	0.5	BGA 0.9 x 0.9	寻找授权经销商
EPC2038	Active	带栅极二极管的单路	6									BGA 0.9 x 0.9	寻找授权经销商
EPC2037	Active	单路	100	6	550	0.115	0.032	0.025	0.6	1.7	2.4	BGA 0.9 x 0.9	寻找授权经销商
EPC8010	Active	单路	100	6	160	0.36	0.13	0.06	2.2	4	7.5	LGA 2.05 x 0.85	寻找授权经销商
EPC2051	Preferred	单路	100	6	25	1.8	0.6	0.3	7.3	1.7	37	BGA 0.85 x 1.3	寻找授权经销商