EPC的产品再一次击败硅基MOSFET功率元件,实现更高的性能而同时缩小元件的尺寸及降低成本。本视频展示出200 V的 GaN FET与等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、大大减小占板面积(器件的尺寸缩小15倍)、功耗低出40%及提高功率密度达3倍。