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组装芯片级氮化镓场效应晶体管和集成电路

為确保eGaN器件的高可靠性和可以发挥其最大性能,必须遵循一些简单的PCB设计和装配准则。一般来说,器件的

1.每个焊点都有正确的PCB阻焊层(SMD)占位面积,以确保在干净的PCB表面控制焊锡。

2.采用正确的焊锡量和回流焊工艺,以提供足够的高度清洗焊盘之间的助焊剂,但焊锡不能过多,否则接点会在回流焊期间变得不稳定、倾斜或塌陷。

3. 清洗焊盘之间的所有助焊剂,然后在接通电源之前必需完全干透。

4.可选择使用底部填充,但底部填充可显著改善温度循环性能,特别是对于较大的器件。更多详情,请参阅《第15阶段产品可靠性测试报告》第六部分。

Properly mounted eGaN device
图 1:正确安装的 eGaN 器件(侧视图)

有关组装指南的详细信息,请参阅《组装eGaN FET和集成电路》。

有关QFN封装的组装信息,请联系宜普电源转换公司。

可视化表征

在开始新的生产流程时,通常进行目视检查。为了简化这个过程,《增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路目视表征指南》详细描述了宜普公司场效应晶体管和集成电路的物理特性,包括所有器件在交付给客户之前必须满足的目视标准。

更多技术资源

有关组装指南的更多信息,请访问我们的装配技术资源网页。

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