在设计过程中，能够在不实际使用氮化镓器件的情况下对其进行仿真是极为重要的。对于更详细的电气仿真，宜普公司采用了基于物理和现象学的混合函数，以实现具有可接受的仿真和收敛特性的紧凑型Spice模型，包括电导率和阈值参数的温度效应。您可以在EPC器件模型网页找到这些模型，而使用EPC器件模型进行电路仿真，则可以深入了解这些模型。支持的模型格式包括 spice、P-Spice、Simplis/SIMetrix、Spectre和T-Spice。

氮化镓器件比它们所取代的功率MOSFET小10至15 倍。然而，芯片级封装可以从多侧散热，而PQFN封装则具有极高的散热效率和不会牺牲电气性能。当确定了功耗后，GaN FET热计算器可以优化散热解决方案。