GaN First Time Right™ 设计流程
2. 选择合适的器件

当您确定了一些适合您的应用的器件，您就可以使用GaN FET热计算器以评估器件在您的热环境中的工作情况。当确定了功耗，GaN FET热计算器就可以优化热解决方案。

EPC 的 GaN FET 和 IC 提供芯片级封装 (CSP) 和塑料四方无引脚封装 (PQFN)。在 CSP 和 PQFN 之间的选择取决于具体应用的要求。CSP 非常适合尺寸受限、高功率密度的应用。PQFN 封装在高性能和制造便利性之间提供了良好的平衡。

芯片级封装的优点

• 尺寸和空间效率
• 更低的寄生电容和电感
• 从芯片四周高效散热
• eGaN FET 和集成电路的组装

功率四方扁平无引脚(PQFN)封装的优点

• 制造简单
• 低热阻
• 封装兼容
• PQFN GaN 器件可靠组装的焊膏模板设计指南

在选择正确的器件时，产品可靠性是一个关键的考虑因素。eGaN^®器件自2010 年3月起开始批量生产，并在实验室测试和大批量客户应用中表现出极高的可靠性和拥有卓越的现场可靠性记录。

EPC采用“测试器件至失效”的方法进行广泛的产品可靠性测试和定期发布这些测试和研究结果。如需最新的产品可靠性测试报告，请访问 EPC网站和参看关于产品可靠性的资源。

产品可靠性所涵盖的关键主题包括：

• 基于物理的栅极应力和漏极应力寿命模型
• 安全操作区
• 短路鲁棒性
• 机械应力
• 热机械应力
• “测试器件至失效”的方法可准确预测用于特定应用的器件寿命