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在您的设计过程中，EPC为您提供越来越多的设计工具、模型和性能仿真。这些工具让您能够针对您的应用，一开始就选择正确的氮化镓器件，以最大限度地提高性能和加快您的产品上市进程。
交叉参考搜索允许设计人员从详尽的元件数据库中搜索当前的Si MOSFET，并将其与基于特定简化操作条件而进行优化的 EPC GaN FET 产品进行比较。比较结果包括功耗、库存、交货时间和价格。
用于 降压转换器的 GaN FET 选型工具可以比较硬开关降压转换器中的EPC FET 及其功耗。该基本电路块可用于大多数硬开关应用，包括电机驱动器。
当您确定了一些适合您的应用的器件，您就可以使用GaN FET热计算器以评估器件在您的热环境中的工作情况。当确定了功耗，GaN FET热计算器就可以优化热解决方案。
EPC的GaN FET和IC采用芯片级封装(CSP)和功率四方扁平无引脚(PQFN)封装。CSP和PQFN 之间的选择取决于应用的具体要求。CSP非常适合尺寸受限的高功率密度应用。PQFN封装在高性能和易于制造之间取得平衡。
在选择正确的器件时，产品可靠性是一个关键的考虑因素。eGaN®器件自2010 年3月起开始批量生产，并在实验室测试和大批量客户应用中表现出极高的可靠性和拥有卓越的现场可靠性记录。
EPC采用“测试器件至失效”的方法进行广泛的产品可靠性测试和定期发布这些测试和研究结果。如需最新的产品可靠性测试报告，请访问 EPC网站和参看关于产品可靠性的资源。
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