在某些情况下，设计人员可能希望使用通用栅极驱动器或控制器。这通常是可能的（例如EPC9141–48 V/12 V、10 A降压转换器），但有几点需要注意及研究，包括：
- 高侧自举电压“钳位”- 用于低侧 FET 反向电流传导（反向传导电压高达 2.5V，可以将自举电容器充电至超过 7V），用于自举电源驱动的半桥驱动器。
- EPC eGaN FET应以5.0至5.5 V的开启电压驱动，但不得低于4.5 V，关闭电压为0 V。因此，应检查驱动器欠压锁定（UVLO），并建议将其设置在禁用为3.6 V和启用为4.0 V的范围内。
- 由于GaN器件的开关非常快，因此栅极驱动器应该能够承受如此高的 dv/dt - 建议大于100 V/ns。
- 最小死区时间应足够短促，以最大限度地减少死区时间的功耗，最好在20-40ns 范围内。 请参看优化死区时间以实现最大效率
- 可能需要与下方FET并联的小型、低成本肖特基二极管。有关范例，请参看EPC9141–48 V/12 V、10 A 降压转换器。
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