EPC2103: 增强型氮化镓半桥功率晶体管

VDS, 80 V
RDS(on), 5.5 mΩ
ID, 30 A
脉冲 ID, 195 A
符合RoHS 6/6、无卤素

EPC2103 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

应用

  • DC/DC 转换器
  • 无刷直流电机驱动器

优势

  • 开关频率更快 – 更低开关损耗、更低寄生电感及更低驱动功率
  • 效率更高 – 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
  • 占板面积更小 - 实现更高功率密度
产品状况:推荐
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