EPC2370 – 适用于高电流 DC-DC 转换的 18 V GaN FET

VDS, 18 V
典型值 RDS(on), 0.28 mΩ
ID, 101 A
脉冲 ID, 783 A

EPC2370 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封装尺寸：3.3 mm x 3.3 mm

应用

  • 高速DC/DC转换器
  • 同步整流器
  • 服务器
  • 人工智能

优势

  • 超低QG
  • 极低导通电阻 (RDS(on))
  • 逻辑电平
  • 轻量
  • 带背面散热垫的 PQFN 封装
產品狀況:可供購買
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