EPC23101: 100 V、65 A 的ePower™ 芯片组

与EPC2302配成输出电流可高达65 A的功率级
集成了半桥驱动器、自举电路和
高侧FET
功率级负载电流为1 MHz、输出电流为65 A
最大输入电压为100 V

带有内部栅极驱动器的集成式高侧eGaN^® FET
高侧FET R_DS（on）为3.3 mΩ
栅极驱动器输出用于驱动外部低侧eGaN FET
5 V外部偏置电源
独立的高侧和低侧控制输入
3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
高开关频率，可高达3 MHz
稳固的电平转换器可在硬开关和软开关条件下运行
对快速开关瞬态的误触发免疫
高侧自举电源的同步充电
内部高侧偏置电源的欠压锁定
采用QFN封装、兼容高侧和低侧器件的芯片组，两个器件之间有优化的引脚布局（请参看EPC2302）。/li>
Thermally enhanced package with exposed top (Rthjc = 0.4 degC/W) & wettable flank

产品状况:停产产品
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