EPC23102: 100 V、35 A 的ePower™ 芯片组

Integrated high side and low side eGaN® FETs with internal gate driver and level shifter
功率级负载电流为1 MHz、输出电流为35 A
最大输入电压为100 V

EPC23102 GaN PowerIC
封装尺寸:3.5 mm x 5 mm

特点

  • 5 V外部偏置电源
  • 独立的高侧和低侧控制输入
  • 3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
  • Logic lockout commands both FETs off when inputs are both high at same time
  • External resistors to tune SW switching times and over-voltage spikes above rail and below ground
  • 稳固的电平转换器可在硬开关和软开关条件下运行
  • 对快速开关瞬态的误触发免疫
  • 高侧自举电源的同步充电
  • Disable input engages low quiescent current mode from VDRV supply
  • Power on reset for low side VDD supply
  • Undervoltage lockout for high side VBOOT supply
  • Active gate pull-down for HS FET and LS FET with loss of VDRV supply
  • Thermally enhanced QFN package with exposed top for low thermal resistance from junction to top-side heatsink

应用

  • Buck, Boost, Buck-Boost Converters
  • Half-Bridge, Full Bridge LLC Converters
  • Motor Drive Inverter
  • Class D Audio Amplifier
产品状况:工程产品
在购买器件时,产品型号后缀ENG*代表该器件仍然处于"工程状态",不适宜进行可靠性应力测试或其它的认证测试。在进行该些测试之前,请联系您的所属区域的EPC公司FAE及查询该器件的最新状态。
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